Моделирование критического состояния слоистых сверхпроводящих структур с неоднородными слоями

Предложен подход к расчету критического состояния слоистых структур, состоящих из неоднородных сверхпроводящих слоев. Метод основан на численном решении одномерных уравнений Гинзбурга–Ландау, обобщенных для неоднородной пластины. Метод позволяет получить зависимости критического тока от магнитного поля, а также распределение тока и магнитного поля по слоям. Проведено сравнение усредненного критического тока слоистых структур, состоящих как из неоднородных, так и из однородных слоев. Получено, что при относительно небольшом количестве слоев и малой величине внешнего магнитного поля критический ток слоистых структур с однородными слоями может превосходить критический ток структур с неоднородными слоями. С увеличением количества слоев и/или величины внешнего магнитного поля критический ток слоистых структур с неоднородными слоями начинает, наоборот, превышать критический ток структур с однородными слоями. Сила пиннинга в структурах с неоднородными слоями выше, чем в случае с однородными.