Физика твердого тела
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика твердого тела:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика твердого тела, 2021, том 63, выпуск 4, страницы 421–426
DOI: https://doi.org/10.21883/FTT.2021.04.50705.236 (Mi ftt8140) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Полупроводники

Исследование ловушек носителей заряда в объемном оксиде галлия $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$

Е. В. Ивановаa, П. А. Дементьевa, М. В. Заморянскаяa, Д. А. Закгеймb, Д. Ю. Пановb, В. А. Спиридоновb, А. В. Кремлеваb, М. А. Одноблюдовbc, Д. А. Бауманb, А. Е. Романовab, В. Е. Бугровb

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики, Санкт-Петербург, Россия
c Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
PDF полного текста (317 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTT.2021.04.50705.236
Аннотация: Исследованы объемные образцы $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$, выращенные методом Чохральского. На основании исследований динамики поглощенного тока и катодолюминесценции было показано, что в образце наблюдается локализация заряда обоих знаков. Продемонстрировано, что локализация электронов приводит к существенному уменьшению интенсивности катодолюминесценции.
Ключевые слова: объемный оксид галлия, люминесценция, ловушки носителей заряда.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 19-19-00686
Работа выполнена при поддержке Российского научного фонда, проект № 19-19-00686.
Поступила в редакцию: 11.11.2020
Исправленный вариант: 11.11.2020
Принята в печать: 07.12.2020
Англоязычная версия:
Physics of the Solid State, 2021, Volume 63, Issue 4, Pages 544–549
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063783421040089
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. В. Иванова, П. А. Дементьев, М. В. Заморянская, Д. А. Закгейм, Д. Ю. Панов, В. А. Спиридонов, А. В. Кремлева, М. А. Одноблюдов, Д. А. Бауман, А. Е. Романов, В. Е. Бугров, “Исследование ловушек носителей заряда в объемном оксиде галлия $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$”, Физика твердого тела, 63:4 (2021), 421–426; Phys. Solid State, 63:4 (2021), 544–549
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{IvaDemZam21}
\by Е.~В.~Иванова, П.~А.~Дементьев, М.~В.~Заморянская, Д.~А.~Закгейм, Д.~Ю.~Панов, В.~А.~Спиридонов, А.~В.~Кремлева, М.~А.~Одноблюдов, Д.~А.~Бауман, А.~Е.~Романов, В.~Е.~Бугров
\paper Исследование ловушек носителей заряда в объемном оксиде галлия $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$
\jour Физика твердого тела
\yr 2021
\vol 63
\issue 4
\pages 421--426
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt8140}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTT.2021.04.50705.236}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46345485}
\transl
\jour Phys. Solid State
\yr 2021
\vol 63
\issue 4
\pages 544--549
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063783421040089}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt8140
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v63/i4/p421
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика твердого тела Физика твердого тела
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025