Эффект резистивного переключения и памяти в композитных пленках на основе оксида графена в матрице металлорганических перовскитов

Исследован эффект резистивного переключения в композитных пленках на основе металлоорганических перовскитов CH$_{3}$NH$_{3}$PbBr$_{3}$ и CH$_{3}$NH$_{3}$PbI$_{3}$ с частицами оксида графена (GO) с концентрацией 1–3 wt.% и слоем фуллерена [60]PCBM. Установлено, что эффект резистивного переключения в пленках Ag/[60]PCBM/CH$_{3}$NH$_{3}$PbBr$_{3}$(I$_{3}$) : GO/PEDOT : PSS/ITO/glass проявляется в резком изменении состояния из низкопроводящего в высокопроводящее при подаче как положительного, так и отрицательного смещения на Ag и ITO электроды, как в темноте, так и при освещении имитатором солнечного света. Предположено, что механизм резистивного переключения связан с захватом и накоплением носителей заряда в частицах GO за счет процессов восстановления/окисления. Исследованные композитные пленки перспективны для создания энергонезависимых ячеек памяти.