Атомная структура и энергия когезии изолированных кластеров SiC

Проведены ab initio расчеты атомной и электронной структуры, энергии когезии фуллереноподобных кластеров Si$_{60}$C$_{60}$. Впервые построена модель двухслойного кластера Si$_{12}$C$_{12}$@Si$_{48}$C$_{48}$ со смешанными $sp^{2}/sp^{3}$-связями. Ab initio расчеты проводились в рамках теории функционала электронной плотности и гибридного функционала B3LYP. Проведена оценка стабильности и ширины энергетической щели кластеров в зависимости от их геометрии. Показано, что стабильность двухслойного кластера Si$_{12}$C$_{12}$@Si$_{48}$C$_{48}$ превосходит стабильность остальных кластеров с тем же числом атомов, но уступает SiC-кластеру структуры сфалерита. В процессе релаксации у двухслойного кластера происходит смещение наружу поверхностного слоя.