Физика твердого тела
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика твердого тела:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика твердого тела, 2020, том 62, выпуск 4, страницы 556–561
DOI: https://doi.org/10.21883/FTT.2020.04.49120.620 (Mi ftt8447) 		 
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Диэлектрики

Резистивное переключение мемристоров на основе стабилизированного диоксида циркония сложными сигналами

Д. О. Филатов, Д. А. Антонов, И. Н. Антонов, А. И. Белов, В. Н. Баранова, М. Е. Шенина, О. Н. Горшков

Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
PDF полного текста (176 kB) Список цитирования (3)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTT.2020.04.49120.620
Аннотация: Изучены особенности резистивного переключения в экспериментальных образцах мемристоров на основе тонких пленок стабилизированного иттрием диоксида циркония треугольными импульсами, на которые накладывался высокочастотный синусоидальный сигнал. Обнаружено уменьшение значений напряжения переключения мемристора из низкоомного состояния в высокоомное и обратно, а также увеличение отношения значений силы тока через мемристор в указанных состояниях и долговременной стабильности тока при наложении синусоидального сигнала на переключающие импульсы по сравнению с переключениями треугольными импульсами без синусоидального сигнала. Улучшение характеристик резистивного переключения связано с резонансной активацией миграции ионов кислорода по вакансиям в переменном внешнем электрическом поле.
Ключевые слова: мемристор, резистивное переключение, стабилизированный диоксид циркония, резонансная активация.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 18-42-520059 р_а
Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований и Правительства Нижегородской области (проект № 18-42-520059р_а).
Поступила в редакцию: 31.10.2019
Исправленный вариант: 31.10.2019
Принята в печать: 19.10.2019
Англоязычная версия:
Physics of the Solid State, 2020, Volume 62, Issue 4, Pages 642–647
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063783420040083
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. О. Филатов, Д. А. Антонов, И. Н. Антонов, А. И. Белов, В. Н. Баранова, М. Е. Шенина, О. Н. Горшков, “Резистивное переключение мемристоров на основе стабилизированного диоксида циркония сложными сигналами”, Физика твердого тела, 62:4 (2020), 556–561; Phys. Solid State, 62:4 (2020), 642–647
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{FilAntAnt20}
\by Д.~О.~Филатов, Д.~А.~Антонов, И.~Н.~Антонов, А.~И.~Белов, В.~Н.~Баранова, М.~Е.~Шенина, О.~Н.~Горшков
\paper Резистивное переключение мемристоров на основе стабилизированного диоксида циркония сложными сигналами
\jour Физика твердого тела
\yr 2020
\vol 62
\issue 4
\pages 556--561
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt8447}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTT.2020.04.49120.620}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=42776780}
\transl
\jour Phys. Solid State
\yr 2020
\vol 62
\issue 4
\pages 642--647
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063783420040083}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt8447
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v62/i4/p556
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика твердого тела Физика твердого тела
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025