Диодные гетероструктуры с ферромагнитным слоем (Ga, Mn)As

Изготовлены и исследованы диодные гетероструктуры $p$-(Ga, Mn)As/$n$-InGaAs/$n^{+}$-GaAs, отличающиеся толщиной (от 5 до 50 nm) слоя разбавленного магнитного полупроводника (Ga, Mn)As. Обнаружен эффект отрицательного магнетосопротивления, достигающий 6–8% в магнитном поле 3600 Oe, сохраняющийся до температур 70–80 K и связанный с уменьшением рассеяния носителей заряда благодаря магнитному упорядочению в слое (Ga, Mn)As. Зависимость магнетосопротивления от напряжения прямого смещения является немонотонной, причем максимум магнетосопротивления и диапазон напряжений его наблюдения зависят от толщины слоя (Ga, Mn)As. Магнитополевые зависимости магнетосопротивления имеют гистерезисный вид, обусловленный влиянием напряжений растяжения в выращенном поверх релаксированного InGaAs слое (Ga, Mn)As на появление компоненты намагниченности, перпендикулярной поверхности структуры.