Физика твердого тела
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика твердого тела:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика твердого тела, 2019, том 61, выпуск 3, страницы 433–440
DOI: https://doi.org/10.21883/FTT.2019.03.47232.265 (Mi ftt8877) 		 
Эта публикация цитируется в 16 научных статьях (всего в 16 статьях)

Полупроводники

Эволюция ансамбля микропор в структуре SiC/Si в процессе роста методом замещения атомов

А. В. Редьковab, А. С. Гращенкоab, С. А. Кукушкинabc, А. В. Осиповab, К. П. Котлярde, А. И. Лихачевde, А. В. Нащекинde, И. П. Сошниковde

a Институт проблем машиноведения РАН, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
c Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
d Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
e Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (1572 kB) Список цитирования (16)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTT.2019.03.47232.265
Аннотация: Исследована временна́я эволюция ансамбля микропор, формирующихся в приповерхностной области кремния в процессе роста тонких пленок карбида кремния методом замещения атомов. Образцы SiC/Si исследованы методом сканирующей электронной микроскопии, эллипсометрии и конфокальной рамановской микроскопии. Показаны характерные этапы формирования пористого слоя: зарождение одиночных пор, их рост с образованием дендритоподобных структур и последующее срастание в сплошной слой. Продемонстрировано, что толщина пористого слоя на начальных этапах роста пропорциональна корню кубическому из времени. Обсуждаются возможные механизмы формирования пор и предложена теоретическая модель для описания зависимости средней толщины пористого слоя от времени, которая имеет хорошее качественное совпадение с экспериментальными результатами.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 14-12-01102
Работа поддержана Российским научным фондом (грант 14-12-01102).
Поступила в редакцию: 22.10.2018
Англоязычная версия:
Physics of the Solid State, 2019, Volume 61, Issue 3, Pages 299–306
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063783419030272
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Редьков, А. С. Гращенко, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, К. П. Котляр, А. И. Лихачев, А. В. Нащекин, И. П. Сошников, “Эволюция ансамбля микропор в структуре SiC/Si в процессе роста методом замещения атомов”, Физика твердого тела, 61:3 (2019), 433–440; Phys. Solid State, 61:3 (2019), 299–306
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{RedGraKuk19}
\by А.~В.~Редьков, А.~С.~Гращенко, С.~А.~Кукушкин, А.~В.~Осипов, К.~П.~Котляр, А.~И.~Лихачев, А.~В.~Нащекин, И.~П.~Сошников
\paper Эволюция ансамбля микропор в структуре SiC/Si в процессе роста методом замещения атомов
\jour Физика твердого тела
\yr 2019
\vol 61
\issue 3
\pages 433--440
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt8877}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTT.2019.03.47232.265}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37478386}
\transl
\jour Phys. Solid State
\yr 2019
\vol 61
\issue 3
\pages 299--306
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063783419030272}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt8877
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v61/i3/p433
    • Эта публикация цитируется в следующих 16 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика твердого тела Физика твердого тела
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025