Образование дислокационных пар в гетероструктуре Ge/GeSi/Si(001)

В гетероструктурах (ГС) Ge/LTGe/GeSi/Si(001) буферный слой GeSi в определенном диапазоне параметров ГС и режимов их роста остается псевдоморфным, в то время как пленка Ge полностью релаксирована за счет сетки краевых дислокаций, расположенной на границе раздела Ge/GeSi. В работе экспериментально показано, что наряду с краевыми дислокациями образуются дислокации с векторами Бюргерса типа $a_{0}\langle$001$\rangle$. Их формирование обусловлено реакцией 60$^\circ$-х дислокаций, имеющих однонаправленную винтовую компоненту. При этом, если в процессе релаксации буферного слоя краевые дислокации расщеплялись с образованием дислокационного комплекса краевого типа, в котором 60$^\circ$-е дислокации оставались связанными, то дислокации с векторами Бюргерса $a_{0}\langle$001$\rangle$ расщеплялись на две независимые 60$^\circ$-е дислокации.