Исследование изолирующей области планарных сверхпроводниковых YBCO-структур, формируемых методом задающей маски

Рассмотрено развитиe нового способа формирования планарных структур на основе высокотемпературного сверхпроводника YBCO – метода “задающей маски”. Суть метода заключается в том, что на исходной подложке создается маска, а после осаждения YBCO сверхпроводящие элементы оказываются сформированными в заданных локальных окнах маски, а между ними образуются разделительные области. Такие условия роста позволяют получать сверхпроводящие элементы микронного размера с высокими электрофизическими параметрами и гладкой поверхностью. Исследовано влияние параметров задающей маски из аморфного оксида церия на изолирующие свойства получаемых разделительных областей при изготовлении планарных структур на подложках из сапфира и фианита с эпитаксиальными подслоями оксида церия.