|
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)
Сегнетоэлектричество
Особенности поведения доменной структуры кристаллов BaTiO$_{3}$ в процессе термического нагрева и охлаждения
Д. А. Киселевa, Т. С. Ильинаa, М. Д. Малинковичa, О. Н. Сергееваb, Н. Н. Большаковаb, Е. М. Семеноваb, Ю. В. Кузнецоваb a Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", г. Москва
b Тверской государственный университет
Аннотация:
Представлены результаты исследования доменной структуры кристаллов титаната бария в широком температурном интервале, включая точку Кюри $(T_{C})$, поляризационно-оптическим методом в отраженном свете и с помощью силовой микроскопии пьезоэлектрического отклика. Показано, что в процессе циклического нагревания кристалла выше $T_{C}$ и последующего охлаждения в сегнетоэлектрическую фазу образуется новая a-c доменная структура. Обсуждается роль нескомпенсированных зарядов, возникающих при фазовом переходе на поверхности кристалла и их влияние на формирование доменной структуры в процессе охлаждения.
Образец цитирования:
Д. А. Киселев, Т. С. Ильина, М. Д. Малинкович, О. Н. Сергеева, Н. Н. Большакова, Е. М. Семенова, Ю. В. Кузнецова, “Особенности поведения доменной структуры кристаллов BaTiO$_{3}$ в процессе термического нагрева и охлаждения”, Физика твердого тела, 60:4 (2018), 734–738; Phys. Solid State, 60:4 (2018), 738–742
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt9238 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v60/i4/p734
|
|