Диэлектрические потери и перенос заряда в легированном сурьмой монокристалле TlGaS$_{2}$

Изучено влияние полуметаллической сурьмы (0.5 mol.% Sb) на диэлектрические свойства и ас-проводимость выращенных методом Бриджмена–Стокбаргера монокристаллов на основе TlGaS$_{2}$. Экспериментальные результаты по изучению частотной дисперсии диэлектрических коэффициентов и проводимости монокристаллов TlGa$_{0.995}$Sb$_{0.005}$S$_{2}$ позволили установить природу диэлектрических потерь, механизм переноса заряда и оценить параметры локализованных в запрещенной зоне состояний. Легирование монокристалла TlGaS$_{2}$ сурьмой приводило к увеличению плотности состояний вблизи уровня Ферми и уменьшению среднего времени и расстояния прыжков.