Бета-индуцированное уменьшение содержания фаз кремния Si-II, Si-XII, Si-III и $\alpha$-Si, образующихся под индентором

Проведена количественная оценка объемов метастабильных фаз кремния Si-II, Si-XII, Si-III и $\alpha$-Si в локально деформированной (пирамида Берковича) области необлученных и предварительно облученных монокристаллов Si. Для расчета объемов использованы экспериментальные данные, полученные методами рамановской спектроскопии и in situ регистрации фазовых превращений кремния Si-I $\to$ Si-II под индентором. Предварительное облучение кремния бета-частицами от источника $^{90}$Sr–$^{90}$Y (флюенс $F$ = 3.24 $\cdot$ 10$^{10}$ cm$^{-2}$, интенсивность $I$ = 1,8 $\cdot$ 10$^{5}$ cm$^{-2}$s$^{-1}$) вызывает более чем полуторакратное уменьшение объема указанных фаз.