Диэлектрическая дисперсия и ионная проводимость в кристаллах $\alpha$-LiIO$_{3}$

Проведено детальное исследование адмиттанса $\dot\sigma_{z}$ (комплексной проводимости вдоль оси $Z$) номинально чистых, а также с малой долей примеси магния, хрома и гадолиния образцов гексагонального иодата лития с различными электродами (в том числе с литиевыми) в широком диапазоне частот (30 Г${{}\div1.0}$ ГГц) и температур (${190\div500}$ K). Предложена структурная модель ионной проводимости иодата лития. Согласно этой модели, проводимость кристалла осуществляется литиевыми вакансиями, которые относительно свободно могут двигаться вдоль каналов (кислородные октаэдры, в которых расположены ионы лития, соединяются по граням вдоль оси $Z$). Литиевые вакансии образуются в кристалле, главным образом, в процессе его роста при захвате им примесных катионов (в силу условия его зарядовой нейтральности). В каналах возможны нарушения. Эти нарушения, как правило, связаны с примесными катионами, занимающими литиевые позиции. Они «запирают» каналы, что приводит к значительной частотной дисперсии диэлектрических свойств $\alpha$-LiIO$_{3}$ вдоль оси $Z$. Эта модель позволяет объяснить полученные экспериментальные зависимости, а также аналитически описать диэлектрические свойства $\alpha$-LiIO$_{3}$.