Примесно-дефектное излучение нелегированных монокристаллов Cd$_{1-x}$Zn$_{x}$Te вблизи края собственного поглощения

На основе измерений низкотемпературной фотолюминесценции проведено исследование мелких примесно-дефектных состояний в нелегированных монокристаллах Cd$_{1-x}$Zn$_{x}$Te ($x\sim$ 3–6%). Влияние цинка, в основном, сводится к жесткому сдвигу всех особенностей, связанных с экситонным излучением, что позволило с высокой ($\sim$0.3 meV) точностью измерить ширину запрещенной зоны и концентрацию цинка в твердых растворах. Во всех исследованных кристаллах регистрируются водородоподобные доноры с энергией основного состояния $\sim$14 meV и четыре типа акцепторов со средней энергией активации 59.3 $\pm$ 0.6 meV, 69.6 $\pm$ 1.5 meV, 155.8 $\pm$ 2.0 meV и 52.3 $\pm$ 0.6 meV. Сопоставление с результатами анализа примесного фона и литературными данными по примесно-дефектному излучению в нелегированном CdTe позволяет приписать первые три акцептора примесям замещения Na$_{\mathrm{Cd}}$, P$_{\mathrm{Te}}$ и Cu$_{\mathrm{Cd}}$ соответственно. Наиболее мелкий акцептор (52.3 $\pm$ 0.6 meV) представляет собой комплексный дефект, у которого существует нестандартный возбужденный уровень, отстоящий от основного всего на 7 meV. Этот уровень возникает, по-видимому, за счет снятия вырождения, характерного для $T_{D}$ акцепторов, низкосимметричным потенциалом комплексного дефекта.