Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2006, том 83, выпуск 4, страницы 195–200 (Mi jetpl1250)  
Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Эпитаксиальный рост полупроводниковых пленок при взаимодействии металлов с галогенами. Атомная структура CuI на поверхности Cu(110)

Б. В. Андрюшечкин, К. Н. Ельцов, В. В. Черкез

Центр естественнонаучных исследований Института общей физики им. А. М. Прохорова РАН
PDF полного текста (2058 kB) Список цитирования (8)
Список литературы:
PDF
HTML
Аннотация: Методом сканирующей туннельной микроскопии исследована атомная структура тонких слоев йодида меди (7–20 Å), формируемых на поверхности Cu(110) в результате химической реакции с молекулярным йодом в условиях сверхвысокого вакуума. Обнаружена сверхструктура с периодом 90–100 Å, состоящая из сдвоенных полос. Предложена структурная модель поверхности йодида меди, учитывающая сжатие решетки CuI и формирование сдвоенных линейных доменных стенок.
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2006, Volume 83, Issue 4, Pages 162–166
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364006040072
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 68.35.-p, 68.35.Bs, 68.65.+g
Образец цитирования: Б. В. Андрюшечкин, К. Н. Ельцов, В. В. Черкез, “Эпитаксиальный рост полупроводниковых пленок при взаимодействии металлов с галогенами. Атомная структура CuI на поверхности Cu(110)”, Письма в ЖЭТФ, 83:4 (2006), 195–200; JETP Letters, 83:4 (2006), 162–166
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AndEltChe06}
\by Б.~В.~Андрюшечкин, К.~Н.~Ельцов, В.~В.~Черкез
\paper Эпитаксиальный рост полупроводниковых пленок при взаимодействии металлов с галогенами. Атомная структура CuI на поверхности Cu(110)
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2006
\vol 83
\issue 4
\pages 195--200
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl1250}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2006
\vol 83
\issue 4
\pages 162--166
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364006040072}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000238680300007}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-33646197932}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl1250
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v83/i4/p195
    • Эта публикация цитируется в следующих 8 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025