Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2005, том 82, выпуск 10, страницы 747–751 (Mi jetpl1626)  
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Поперечный перенос носителей заряда в полупроводниковых селективно-легированных гетероструктурах GaAs/AlGaAs при продольном протекании тока

Е. И. Лонскаяa, О. А. Рябушкинab

a Институт радиотехники и электроники РАН, 141190 Фрязино, Московская обл., Россия
b Московский физико-технический институт (государственный университет)
PDF полного текста (637 kB) Список цитирования (4)
Список литературы:
PDF
HTML
Аннотация: Исследовались спектры фотоотражения селективно-легированных гетероструктур GaAs/AlGaAs при пропускании постоянного электрического тока вдоль слоев структуры. Разработанная модель спектров позволила вычислить изменения внутренних поперечных электрических полей при протекании продольного тока. Экспериментально доказано, что даже слабый разогрев электронов в таких структурах приводит к пространственному перераспределению электронов в направлении, поперечном слоям гетероструктуры.
Поступила в редакцию: 17.10.2005
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2005, Volume 82, Issue 10, Pages 664–668
DOI: https://doi.org/10.1134/1.2166916
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: \vspace*{-3mm}73.40.Kp, 78.40.Fy, 78.66.Fd
Образец цитирования: Е. И. Лонская, О. А. Рябушкин, “Поперечный перенос носителей заряда в полупроводниковых селективно-легированных гетероструктурах GaAs/AlGaAs при продольном протекании тока”, Письма в ЖЭТФ, 82:10 (2005), 747–751; JETP Letters, 82:10 (2005), 664–668
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LonRya05}
\by Е.~И.~Лонская, О.~А.~Рябушкин
\paper Поперечный перенос носителей заряда в полупроводниковых селективно-легированных гетероструктурах GaAs/AlGaAs при продольном протекании тока
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2005
\vol 82
\issue 10
\pages 747--751
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl1626}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2005
\vol 82
\issue 10
\pages 664--668
\crossref{https://doi.org/10.1134/1.2166916}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000234812000010}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-31344451869}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl1626
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v82/i10/p747
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025