Туннелирование рентгеновских фотонов через тонкую пленку в условиях полного внутреннего отражения

Экспериментально продемонстрировано туннелирование рентгеновских фотонов с длиной волны 0.154 и 0.139 нм через тонкую пленку в условиях полного внутреннего отражения (ПВО). Пленка NiSi$_2$ толщиной 13 нм наносилась магнетронным распылением на полированную подложку Si. Пучок с угловой расходимостью $20''$ направлялся на границу раздела Si/NiSi$_2$ изнутри через боковую поверхность образца. Пик, обусловленный туннелированием фотонов из Si в воздух через пленку NiSi$_2$, наблюдался при углах скольжения $\theta _1>0.4\theta _{\rm c}$, где $\theta _{\rm c}$ – критический угол ПВО на границе раздела Si/NiSi$_2$. Интегральная интенсивность пиков туннелирования, измеренная при различных $\theta _1$, согласуется с расчетными данными.