Новые эффекты ванье-штарковской локализации в естественной сверхрешетке 6Н-SiC

В 6H-SiC $n^{+}$-$n^{-}$-$n^{+}$ структурах, оптимизированных для сверхвысокочастотных измерений, в области электрических полей, соответствующих режиму блоховских осцилляций в естественной сверхрешетке 6Н-SiC, наблюдался ранний электрический пробой, возникновение которого связывается с образованием домена сильного поля в условиях отрицательной дифференциальной проводимости. Полученные экспериментальные результаты и проведенные оценки свидетельствуют о том, что данный домен подвижный и, значит, осциллирующий, что в свою очередь позволяет прогнозировать наличие в естественной сверхрешетке 6Н-SiC микроволновых колебаний, которые быстро затухают в условиях лавинного пробоя. Кристаллическое совершенство естественной свехрешетки 6Н-SiC позволило прямо наблюдать ванье-штарковскую локализацию вплоть до электрического пробоя, то есть на протяжении естественной жизни кристалла, для чего была использована оптическая методика фотоэлектрического преобразования в режиме умножения фототока, рожденного квантами света с энергией больше ширины запрещенной зоны. Показано, что ванье-штарковская локализация, воздействуя только на электроны, существует в естественной свехрешетки 6Н-SiC до полей почти равных пробойному полю 6Н-SiC, не замечая зонного смешивания, принципиального разрушителя ванье-штарковской локализации.