Особенности проводимости и магнетосопротивления легированных двумерных структур вблизи перехода металл–диэлектрик

Представлен обзор теоретических и экспериментальных результатов, относящихся к исследованию проводимости и магнетосопротивления селективно легированных структур квантовых ям GaAs–AlGaAS в окрестности перехода металл–диэлектрик. Особое внимание уделено роли структуры примесных зон, которые в отсутствие преднамеренной компенсации являются узкими, а при легировании барьеров включают также частично заполненную верхнюю зону Хаббарда. Показано, что в указанных структурах проявляются: 1) специфическая смешанная проводимость, которая может, в частности, включать вклад делокализованных состояний в примесной зоне, 2) виртуальный переход Андерсона, который подавляется с ростом беспорядка за счет компенсации или с повышением концентрации легирующей примеси, 3) медленные релаксации прыжкового магнетосопротивления, обусловленные эффектами кулоновского стекла, включающего, в частности, состояния верхней зоны Хаббарда, 4) подавление отрицательного интерференционного магнетосопротивления, обусловленное спиновыми эффектами.