|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2015, том 101, выпуск 3, страницы 207–211 DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X1503011X
(Mi jetpl4546)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Магнетосопротивление тонких пленок, обусловленное слабой
локализацией, в условиях изменения размерности системы
под действием магнитного поля и температуры
О. В. Реукова, В. Г. Кытин, В. А. Кульбачинский, Л. И. Бурова, А. Р. Кауль Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
DOI:
https://doi.org/10.7868/S0370274X1503011X
Аннотация:
Теоретически проанализировано и экспериментально исследовано
магнетосопротивление
тонких пленок, обусловленное явлением слабой локализации электронов в условиях,
когда
толщина пленки сравнима с длиной диффузии электронов за время релаксации фазы
волновой функции или с магнитной длиной. Получено выражение для
магнетосопротивления тонких пленок при произвольном соотношении между толщиной
пленки и длиной диффузии электронов за время релаксации фазы волновой функции.
Показано, что полученное выражение хорошо описывает магнетосопротивление пленок
оксида цинка, легированного галлием в условиях изменения их эффективной
размерности по отношению к явлению слабой локализации, вызванного изменением
магнитного поля и температуры.
Поступила в редакцию: 14.11.2014 Исправленный вариант: 15.12.2014
Образец цитирования:
О. В. Реукова, В. Г. Кытин, В. А. Кульбачинский, Л. И. Бурова, А. Р. Кауль, “Магнетосопротивление тонких пленок, обусловленное слабой
локализацией, в условиях изменения размерности системы
под действием магнитного поля и температуры”, Письма в ЖЭТФ, 101:3 (2015), 207–211; JETP Letters, 101:3 (2015), 189–192
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl4546 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v101/i3/p207
|
|