Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2015, том 102, выпуск 8, страницы 610–614
DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X15200126 (Mi jetpl4769) 		 
Эта публикация цитируется в 30 научных статьях (всего в 30 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Механизм транспорта заряда в тонких пленках аморфного и сегнетоэлектрического Hf$_{0.5}$Zr$_{0.5}$O$_2$

Д. Р. Исламовab, А. Г. Черниковаc, М. Г. Козодаевc, А. М. Маркеевc, Т. В. Переваловab, В. А. Гриценкоab, О. М. Орловd

a Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
b Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
c Московский физико-технический институт, 141700 Долгопрудный, Россия
d Научно-исследовательский институт молекулярной электроники, 124460 Зеленоград, Россия
PDF полного текста (254 kB) Список цитирования (30)
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X15200126
Аннотация: Исследован механизм транспорта заряда в тонких аморфных и сегнетоэлектрических пленках Hf$_{0.5}$Zr$_{0.5}$O$_2$. Показано, что в изучаемых материалах механизм транспорта не зависит от кристаллической фазы и является фонон-облегченным туннелированием между ловушками. В результате сравнения экспериментальных вольт-амперных характеристик структур TiN/Hf$_{0.5}$Zr$_{0.5}$O$_2$/Pt с рассчитанными определены параметры ловушки: термическая энергия $1.25$ эВ и оптическая энергия $2.5$ эВ. Оценена концентрация ловушек: ${\sim}10^{19}{-}10^{20}$ см$^{-3}$.
Поступила в редакцию: 11.08.2015
Исправленный вариант: 28.08.2015
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2015, Volume 102, Issue 8, Pages 544–547
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364015200047
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. Р. Исламов, А. Г. Черникова, М. Г. Козодаев, А. М. Маркеев, Т. В. Перевалов, В. А. Гриценко, О. М. Орлов, “Механизм транспорта заряда в тонких пленках аморфного и сегнетоэлектрического Hf$_{0.5}$Zr$_{0.5}$O$_2$”, Письма в ЖЭТФ, 102:8 (2015), 610–614; JETP Letters, 102:8 (2015), 544–547
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{IslCheKoz15}
\by Д.~Р.~Исламов, А.~Г.~Черникова, М.~Г.~Козодаев, А.~М.~Маркеев, Т.~В.~Перевалов, В.~А.~Гриценко, О.~М.~Орлов
\paper Механизм транспорта заряда в тонких пленках аморфного и сегнетоэлектрического Hf$_{0.5}$Zr$_{0.5}$O$_2$
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2015
\vol 102
\issue 8
\pages 610--614
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl4769}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=25021564}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2015
\vol 102
\issue 8
\pages 544--547
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364015200047}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000368406700012}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-84953375777}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl4769
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v102/i8/p610
    • Эта публикация цитируется в следующих 30 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025