Аналитическая теория анизотропии зоны проводимости A$_3$B$_5$-полупроводников в сильном магнитном поле

Изучены поправки от кубического по волновому вектору $K^3$-слагаемого Дрессельхауза к энергиям основного и первого уровней Ландау электронов в A$_3$B$_5$-полупроводниках. Найденные поправки вместе с ранее известными поправками за счет $K^4$-членов в гамильтониане электрона дают полное аналитическое описание анизотропии вершины зоны проводимости A$_3$B$_5$-полупроводников в ультраквантовом магнитном поле. Проведенный анализ экспериментальных данных по расщеплению линии циклотронного резонанса в GaAs подтверждает реальность изученного механизма анизотропии.