Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2018, том 108, выпуск 3, страницы 180–184
DOI: https://doi.org/10.1134/S0370274X18150067 (Mi jetpl5666) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

ОПТИКА, ЛАЗЕРНАЯ ФИЗИКА

Атомные перестройки и фотоэмиссионные процессы на интерфейсе р-GaN(Cs)-вакуум

В. В. Бакинa, С. Н. Косолобовa, С. А. Рожковab, Г. Э. Шайблерab, А. С. Тереховa

a Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия
b Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
PDF полного текста (244 kB) Список цитирования (2)
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.1134/S0370274X18150067
Аннотация: Впервые изучены спонтанные изменения фотоэмиссионных свойств интерфейса р-GaN(Cs)-вакуум с эффективным отрицательным электронным сродством, вызванные перестройками его атомной структуры. Обнаружено оптимальное Сs-покрытие, обеспечивающее как максимальную вероятность выхода фотоэлектронов в вакуум, так и ее стабильность. Предложена термодинамическая модель, объясняющая связи фотоэмиссионных свойств интерфейса р-GaN(Cs)-вакуум с его свободной энергией и энтропией.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 16-02-00534_а
Авторы благодарят А.А. Саранина за полезные обсуждения и Российский фонд фундаментальных исследований за частичную поддержку данной работы в рамках проекта 16-02-00534.
Поступила в редакцию: 20.04.2018
Исправленный вариант: 04.07.2018
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2018, Volume 108, Issue 3, Pages 180–184
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364018150031
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. В. Бакин, С. Н. Косолобов, С. А. Рожков, Г. Э. Шайблер, А. С. Терехов, “Атомные перестройки и фотоэмиссионные процессы на интерфейсе р-GaN(Cs)-вакуум”, Письма в ЖЭТФ, 108:3 (2018), 180–184; JETP Letters, 108:3 (2018), 180–184
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BakKosRoz18}
\by В.~В.~Бакин, С.~Н.~Косолобов, С.~А.~Рожков, Г.~Э.~Шайблер, А.~С.~Терехов
\paper Атомные перестройки и фотоэмиссионные процессы на интерфейсе р-GaN(Cs)-вакуум
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2018
\vol 108
\issue 3
\pages 180--184
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl5666}
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0370274X18150067}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=32619804}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2018
\vol 108
\issue 3
\pages 180--184
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364018150031}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000447382200006}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-85055270504}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl5666
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v108/i3/p180
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025