Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2018, том 108, выпуск 7, страницы 504–509
DOI: https://doi.org/10.1134/S0370274X18190098 (Mi jetpl5717) 		 
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Природа равноотстоящих отрицательных дифференциальных сопротивлений в туннельных спектрах ультрамалых наночастиц

Ф. И. Далидчик, Е. М. Балашов, С. А. Ковалевский

Институт химической физики им. Н.Н. Семенова РАН, 119991 Москва, Россия
PDF полного текста (305 kB) Список цитирования (4)
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.1134/S0370274X18190098
Аннотация: Построена модель туннельных многорезонансных электронных переходов в ноконтактах, содержащих ультрамалые наночастицы с адсорбированными атомами. Рассмотрены механизмы формирования в туннельных спектрах этих структур эквидистантных серий отрицательных дифференциальных сопротивлений. Установлена возможность сосуществования эквидистантных серий двух типов, кулоновских и колебательных, сформулированы признаки распознавания этих серий. Интерпретированы туннельные спектры ультрамалых наночастиц металлов, содержащие информацию об их электронно-колебательных подсистемах.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 18-03-00453_а
Российская академия наук - Федеральное агентство научных организаций АААА-А18-118012390045-2
Работа выполнена в рамках государственного задания по теме “Фундаментальные основы создания наноструктурированных систем нового поколения с уникальными эксплуатационными электрическими и магнитными свойствами” # 0082-2018-0003 (регистрационный номер АААА-А18-118012390045-2) и при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант # 18-03-00453).
Поступила в редакцию: 22.08.2018
Исправленный вариант: 04.09.2018
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2018, Volume 108, Issue 7, Pages 471–475
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364018190050
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Ф. И. Далидчик, Е. М. Балашов, С. А. Ковалевский, “Природа равноотстоящих отрицательных дифференциальных сопротивлений в туннельных спектрах ультрамалых наночастиц”, Письма в ЖЭТФ, 108:7 (2018), 504–509; JETP Letters, 108:7 (2018), 471–475
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{DalBalKov18}
\by Ф.~И.~Далидчик, Е.~М.~Балашов, С.~А.~Ковалевский
\paper Природа равноотстоящих отрицательных дифференциальных сопротивлений в туннельных спектрах ультрамалых наночастиц
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2018
\vol 108
\issue 7
\pages 504--509
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl5717}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36319925}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2018
\vol 108
\issue 7
\pages 471--475
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364018190050}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000460138100009}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-85062235621}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl5717
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v108/i7/p504
    Обсуждения
    Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025