Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2020, том 111, выпуск 11, страницы 728–734
DOI: https://doi.org/10.31857/S1234567820110026
(Mi jetpl6181)
 

Эта публикация цитируется в 10 научных статьях (всего в 10 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Термическая устойчивость водородных кластеров на поверхности графена и Стоун–Уэльсовского графена

А. И. Подливаев

Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”, 115409 Москва, Россия
Список литературы:
Аннотация: В рамках неортогональной модели сильной связи исследовалась возможность создания различных термически устойчивых элементов водородного рисунка на поверхности графена и Стоун–Уэльсовского графена – недавно предсказанного нового аллотропа графена. Численно исследована миграция атома водорода, адсорбированного на эти структуры. Энергия активации миграции атома водорода на поверхности графена ниже аналогичной энергии для Стоун–Уэльсовского графена, и данные величины равны, соответственно, 0.52 и 0.84 эВ. Исследована термическая устойчивость водородных кластеров, имеющих вид 6-и атомных колец на поверхности графена, а также 5, 6 и 7-и атомных колец на поверхности Стоун-Уэльсовского графена. Определены соответствующие энергии активации (они равны 1.61, 1.25, 1.36, и 1.27 эВ), а также частотные факторы термического распада в формуле Аррениуса. Даны оценки времен жизни этих кластеров при температурах замерзания и кипения воды.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 18-02-00278_а
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Работа поддержана грантом Российского фонда фундаментальных исследований # 18-02-00278-а и выполнена при поддержке Министерства науки и высшего образования РФ в рамках Программы повышения конкурентоспособности НИЯУ МИФИ.
Поступила в редакцию: 06.04.2020
Исправленный вариант: 24.04.2020
Принята в печать: 24.04.2020
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2020, Volume 111, Issue 11, Pages 613–618
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364020110077
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. И. Подливаев, “Термическая устойчивость водородных кластеров на поверхности графена и Стоун–Уэльсовского графена”, Письма в ЖЭТФ, 111:11 (2020), 728–734; JETP Letters, 111:11 (2020), 613–618
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Pod20}
\by А.~И.~Подливаев
\paper Термическая устойчивость водородных кластеров на поверхности графена и Стоун--Уэльсовского графена
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2020
\vol 111
\issue 11
\pages 728--734
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl6181}
\crossref{https://doi.org/10.31857/S1234567820110026}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=45347120}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2020
\vol 111
\issue 11
\pages 613--618
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364020110077}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000562984200003}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-85089680918}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl6181
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v111/i11/p728
  • Эта публикация цитируется в следующих 10 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025