Логарифмическая релаксация фотопроводимости квазиодномерного полупроводника TiS$_3$

Исследованы переходные процессы в фотопроводимости монокристаллов TiS$_3$ при подаче на образец прямоугольных импульсов света в области длин волн $\lambda= 405{-}940\,$нм. Установлено, что спад фотопроводимости после выключения излучения при температурах от 180 до 78 К описывается логарифмическим законом в интервале от $10^{-3}$ до $10^2$ с, т.е. при изменении времени на 5 порядков. Это означает, что процесс релаксации характеризуется временами, распределенными в диапазоне от десятков микросекунд до десятков минут, как минимум. Показано, что релаксация имеет преимущественно последовательный характер: барьер для рекомбинации повышается по мере приближения проводимости к равновесному значению.