Локальные поверхностные плазмонные резонансы в пленочных структурах Cu/As$_2$Se$_3$

Впервые синтезированы плазмонные наноструктуры в результате диффузии Cu в пленку As$_2$Se$_3$ при формировании пленочной структуры Cu/As$_2$Se$_3$ последовательным напылением в вакууме Cu и As$_2$Se$_3$. Методом спектроскопической эллипсометрии получены спектры коэффициентов экстинкции и показателя преломления, а также действительной и мнимой частей диэлектрической проницаемости синтезированных структур в диапазоне длин волн 240–2500 нм, свидетельствующие о наличии локализованных поверхностных плазмонных резонансов. Показано, что изменением толщины пленки меди и термическим отжигом можно управлять частотным положением плазмонных резонансов в диапазоне длин волн от 470 до 660 нм.