Возбужденные состояния экситонов в монослоях MoSe$_2$ и WSe$_2$

Методом оптической спектроскопии отражения исследованы экситоны в монослоях MoSe$_2$ и WSe$_2$, инкапсулированных гексагональным нитридом бора. Изучены основные и возбужденные состояния А- и В-экситонов при температурах от гелиевой до комнатной. В спектре отражения отчетливо наблюдаются линии экситонов А:$1s$, В:$1s$ и их возбужденные состояния А:$2s$, А:$3s$, В:$2s$. Наблюдаемые формы линий спектра отражения монослоев дихалькогенидов переходных металлов зависят от толщины используемых в структуре слоев $hBN$ и находятся в хорошем соответствии с численным моделированием методом матриц переноса. Впервые на основе данных эксперимента и выполненных расчетов энергии связи экситонов получены значения приведенных масс В-экситонов.