Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2024, том 120, выпуск 11, страницы 856–862
DOI: https://doi.org/10.31857/S0370274X24120064 (Mi jetpl7387) 		 
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Пороговая фотогенерация биэкситонов в нанокристаллах на основе прямозонных полупроводников

С. А. Фомичёв, В. А. Бурдов

Нижегородский государственный университет им. Н.И.Лобачевского, 603022 Н.Новгород, Россия
PDF полного текста (259 kB) Первая страница
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.31857/S0370274X24120064
Аннотация: Рассмотрен процесс создания двух электронно-дырочных пар (биэкситона) в нанокристалле на основе прямозонного полупроводника с невырожденной зоной проводимости за счет поглощения одного фотона с энергией, равной удвоенной ширине энергетической щели нанокристалла. Показано, что процесс может идти только при наличии межэлектронного взаимодействия и взаимодействия электронов с полем кристаллической решетки. Рассчитана скорость процесса, которая оказывается сильно зависящей от размера нанокристалла.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 23-22-00275
Работа была поддержана грантом Российского научного фонда 23-22-00275.
Поступила в редакцию: 01.10.2024
Исправленный вариант: 13.10.2024
Принята в печать: 18.10.2024
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2024, Volume 120, Issue 11, Pages 822–828
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364024603749
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. А. Фомичёв, В. А. Бурдов, “Пороговая фотогенерация биэкситонов в нанокристаллах на основе прямозонных полупроводников”, Письма в ЖЭТФ, 120:11 (2024), 856–862; JETP Letters, 120:11 (2024), 822–828
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{FomBur24}
\by С.~А.~Фомичёв, В.~А.~Бурдов
\paper Пороговая фотогенерация биэкситонов в нанокристаллах на основе прямозонных полупроводников
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2024
\vol 120
\issue 11
\pages 856--862
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl7387}
\crossref{https://doi.org/10.31857/S0370274X24120064}
\edn{https://elibrary.ru/DNXMXQ}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2024
\vol 120
\issue 11
\pages 822--828
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364024603749}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl7387
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v120/i11/p856
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025