Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2024, том 120, выпуск 11, страницы 889–894
DOI: https://doi.org/10.31857/S0370274X24120108 (Mi jetpl7391) 		 
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Проявление послоевой локализации сингулярностей ван Хова в туннелировании между листами двухслойного графена

Е. Е. Вдовинa, Ю. Н. Ханинa, С. В. Морозовa, М. А. Кащенкоbc, А. А. Соколикd, К. С. Новоселовe

a Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН, 142432 Черноголовка, Россия
b Центр фотоники и двумерных материалов, Московский физико-технический институт, 141700 Долгопрудный, Россия
c Лаборатория физики программируемых функциональных материалов, Центр нейрофизики и нейроморфных технологий, 127495 Москва, Россия
d Институт спектроскопии РАН, 142190 Троицк, Москва, Россия
e Institute for Functional Intelligent Materials, National University of Singapore, Building S9, 4 Science Drive 2, 117544 Singapore
PDF полного текста (4199 kB) Первая страница
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.31857/S0370274X24120108
Аннотация: Исследовано туннелирование между двумя листами двухслойного графена, кристаллические решетки которых повернуты относительно друг друга на небольшой угол. Обнаружено аномальное поведение туннельной проводимости, обусловленное проявлением сингулярностей ван Хова на краях зоны проводимости и валентной зоны, пространственно локализованных в различных монослоях двухслойного графена.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 23-12-00115
Работа выполнена при финансовой поддержке Российского научного фонда (грант #23-12-00115).
Поступила в редакцию: 15.10.2024
Исправленный вариант: 06.11.2024
Принята в печать: 06.11.2024
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2024, Volume 120, Issue 11, Pages 854–859
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364024604019
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. Е. Вдовин, Ю. Н. Ханин, С. В. Морозов, М. А. Кащенко, А. А. Соколик, К. С. Новоселов, “Проявление послоевой локализации сингулярностей ван Хова в туннелировании между листами двухслойного графена”, Письма в ЖЭТФ, 120:11 (2024), 889–894; JETP Letters, 120:11 (2024), 854–859
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{VdoKhaMor24}
\by Е.~Е.~Вдовин, Ю.~Н.~Ханин, С.~В.~Морозов, М.~А.~Кащенко, А.~А.~Соколик, К.~С.~Новоселов
\paper Проявление послоевой локализации сингулярностей ван Хова в туннелировании между листами двухслойного графена
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2024
\vol 120
\issue 11
\pages 889--894
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl7391}
\crossref{https://doi.org/10.31857/S0370274X24120108}
\edn{https://elibrary.ru/JXKWEQ}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2024
\vol 120
\issue 11
\pages 854--859
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364024604019}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl7391
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v120/i11/p889
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025