Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2025, том 121, выпуск 7, страницы 589–599
DOI: https://doi.org/10.31857/S0370274X25040081 (Mi jetpl7483) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Природа локального спаривания носителей заряда в семействе высокотемпературных сверхпроводников на основе BaBiO$_3$ (Миниобзор)

А. П. Менушенков

Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”, 115409 Москва, Россия
PDF полного текста (388 kB) Первая страница Список цитирования (1)
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.31857/S0370274X25040081
Аннотация: Представлена модель локального спаривания носителей заряда в реальном пространстве в семействе висмутатных высокотемпературных сверхпроводящих оксидов, основанная на экспериментальных данных рентгеновской спектроскопии поглощения с использованием синхротронного излучения и излучения рентгеновского лазера на свободных электронах. Предложено объяснение природы двух энергетических щелей и диэлектрического состояния висмутата бария BaBiO$_3$, металлического состояния плюмбата бария BaPbO$_3$, фазовой диаграммы и появления сверхпроводимости при допировании BaBiO$_3$ свинцом и калием. Обсуждена возможность реализации как фононного, так и электронного механизма спаривания.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации 075-15-2021-1352
Данная работа выполнена при финансовой поддержке Министерства высшего образования и науки Российской Федерации (Соглашение #075-15-2021-1352).
Поступила в редакцию: 10.02.2025
Исправленный вариант: 10.02.2025
Принята в печать: 27.02.2025
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2025, Volume 121, Issue 7, Pages 562–571
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364025605524
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. П. Менушенков, “Природа локального спаривания носителей заряда в семействе высокотемпературных сверхпроводников на основе BaBiO$_3$ (Миниобзор)”, Письма в ЖЭТФ, 121:7 (2025), 589–599; JETP Letters, 121:7 (2025), 562–571
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Men25}
\by А.~П.~Менушенков
\paper Природа локального спаривания носителей заряда в семействе высокотемпературных сверхпроводников на основе BaBiO$_3$ (Миниобзор)
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2025
\vol 121
\issue 7
\pages 589--599
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl7483}
\edn{https://elibrary.ru/DDLSIU}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2025
\vol 121
\issue 7
\pages 562--571
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364025605524}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl7483
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v121/i7/p589
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025