Индуцирование энергетической щели волны зарядовой плотности в $\mathrm{NbSe}_3$ сильным магнитным полем выше температуры пайерлсовского перехода

Методом межслоевой туннельной спектроскопии исследовано влияние магнитного поля на величину энергетической щели волны зарядовой плотности (ВЗП) в $\mathrm{NbSe}_3$ вблизи температуры нижнего пайерлсовского перехода $T_{p2}$. Показано, что магнитное поле увеличивает энергетическую щель и даже может ее индуцировать при температурах, на 15–20 К превышающих $T_{p2}$. При этом амплитуда пика щелевой особенности туннельного спектра сначала увеличивается с ростом поля, достигает максимума при 20–30 Тл, а затем уменьшается при дальнейшем росте поля. Эффект увеличения амплитуды щелевого пика связывается с улучшением условия нестинга ВЗП под действием поля, тогда как ее подавление в сильных полях – с разрушением основного состояния в результате его зеемановского расщепления.