Плоскостное каналирование и дифракция релятивистских электронов в тонких монокристаллах

Проведено исследование взаимодействия релятивистских электронов с тонкими монокристаллами в приближении непрерывного потенциала системы кристаллических плоскостей. Разработана численная методика решения одномерного уравнения Шредингера с периодическим потенциалом. На основе численных расчетов, проведенных по этой методике, определены формы угловых распределений электронов, находящихся в различных зонах поперечного движения. Результаты расчетов были применены для анализа экспериментально полученных данных по угловым распределениям электронов энергии 5.1 МэВ, бросаемых под малыми углами к системе плоскостей (110) монокристалла Si. Проведенные комплексные экспериментальные и теоретические исследования, с одной стороны, показали возможность преимущественного заселения определенных состояний поперечного движения, а с другой — позволили определить угловые области в направлениях бросания пучка электронов на кристалл, где важны или эффекты каналирования, или дифракции электронов.