Диффузия примеси замещения в облученном ионами кристалле

Выполнен анализ диффузии примесей замещения в монокристалл, предварительно облученный заряженными частицами. Рассмотрена модель, объясняющая глубокое проникновение примесей замещения ускорением их диффузии вследствие генерации вакансий при отжиге сложных радиационных дефектов. Проведены расчеты влияния концентрации, коэффициента диффузии и времени жизни дефектов на профиль распределения легирующей примеси. Показано, что в рамках рассмотренной модели удается хорошо объяснить известные экспериментальные данные по диффузии примесей в облученном ионами кристалле.