Исследование влияния тонких пленок SiO$_{x}$ (${0\leqslant x\leqslant 2}$) на спектральные характеристики кремниевых $p{-}n$ переходов

Исследованы спектральные характеристики различных типов кремниевых фотодиодов с одно- и двухслойными просветляющими покрытиями из SiO$_{x}$. Показано, что в инфракрасном и видимом диапазонах длин волн применение слоев SiO$_{x}$ в качестве просветляющего покрытия позволяет удовлетворить критерию оптимальности просветления. В ультрафиолетовой области наилучшим из рассмотренных является просветляющее покрытие из SiO$_{x}$ (${x=2}$), имеющее наименьший коэффициент экстинкции в рассматриваемом спектральном диапазоне.