Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 1988, том 58, выпуск 1, страницы 132–135 (Mi jtf2715)  
Пассивирующие свойства оксидов кремния, нанесенных на поверхность кремниевых высоковольтных $p{-}n$ переходов методом катодно-реактивного распыления

В. М. Волле, В. Б. Воронков, В. А. Козлов, Е. Штейнбайс, К. Штэнбек, В. Экке
PDF полного текста (522 kB)
Аннотация: Показано, что применение пленок оксидов кремния со встроенным положительным зарядом для пассивации поверхности приборов силовой электроники приводит к уменьшению обратных токов и стабилизации их вольтамперных характеристик. Пленки получены в реакторе магнетронного типа.
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. М. Волле, В. Б. Воронков, В. А. Козлов, Е. Штейнбайс, К. Штэнбек, В. Экке, “Пассивирующие свойства оксидов кремния, нанесенных на поверхность кремниевых высоковольтных $p{-}n$ переходов методом катодно-реактивного распыления”, ЖТФ, 58:1 (1988), 132–135
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{VolVorKoz88}
\by В.~М.~Волле, В.~Б.~Воронков, В.~А.~Козлов, Е.~Штейнбайс, К.~Штэнбек, В.~Экке
\paper Пассивирующие свойства оксидов кремния, нанесенных
на поверхность кремниевых высоковольтных $p{-}n$ переходов
методом катодно-реактивного распыления
\jour ЖТФ
\yr 1988
\vol 58
\issue 1
\pages 132--135
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf2715}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf2715
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v58/i1/p132
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025