Свойства гетеропереходов CdS/CuInSe$_{2}$ и CdSe/CuInSe$_{2}$, полученных методом химического осаждения

Разработан метод химического осаждения тонких слоев $n$-CdS и $n$-CdSe на поверхность крупноблочных поликристаллов $p$-CuInSe$_{2}$. Приведены электрические параметры полученных слоев и кристаллов. Исследованы темновые вольт-амперные характеристики и спектры фоточувствительности гетеропереходов CdS/CuInSe$_{2}$ и CdSe/CuInSe$_{2}$ при ${T=300}$ K. Рассмотрены особенности свойств гетеропереходов непосредственно после нанесения слоев полупроводников II$-$VI и полученных в результате проведения последующего рекристаллизационного отжига при ${T=270\div400^{\circ}}$С и ${t=5\div30}$ мин. Указано на экономическую перспективность и высокую технологичность метода химического осаждения для создания выпрямляющих гетеропереходов, фоточувствительных в широком диапазоне длин волн.