|
|
Журнал технической физики, 1988, том 58, выпуск 2, страницы 399–402
(Mi jtf2758)
|
|
|
|
Исследования процесса электростимулированного роста кристаллов
в системе металл–аморфный оксид–электролит методом вторично-ионной
масс-спектрометрии
А. П. Коварский, А. В. Новотельнова, С. Д. Ханин, Н. Л. Чернюс
Аннотация:
Методом вторично-ионной масс-спектрометрии определены профили
распределения элементов по толщине аморфных и кристаллических областей
оксида тантала, подвергнутого в контакте с электролитом длительному
электротепловому нагружению, С использованием изотопа О$^{18}$ показано,
что источником кислорода в процессе электростимулированного роста
кристаллов в системе металл–аморфный оксид–электролит является электролит.
На основании анализа распределения примесей установлено, что на образование
кристаллической фазы вещество исходного аморфного оксида не расходуется.
Указаны основные факторы, определяющие стабильность структуры
и свойств аморфных диэлектрических материалов и
технических устройств на их основе.
Образец цитирования:
А. П. Коварский, А. В. Новотельнова, С. Д. Ханин, Н. Л. Чернюс, “Исследования процесса электростимулированного роста кристаллов
в системе металл–аморфный оксид–электролит методом вторично-ионной
масс-спектрометрии”, ЖТФ, 58:2 (1988), 399–402
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf2758 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v58/i2/p399
|
|