Образование двойников и гексагональной модификации в кремнии при облучении интенсивными пучками ионов Аr$^{+}$

Проведена полная интерпретация электронно-дифракционных картин от монокристаллов кремния (001)-ориентации, облученных ионами Аr$^{+}$ с энергией 150 кэВ и плотностью тока ионного пучка ${\sim100\,\text{мкА/см}^{2}}$. Установлено, что в процессе рекристаллизации аморфизованных слоев как при высокоинтенсивном ионном облучении, так и в случае термического отжига при температуре 1073 K образцов, предварительно облученных ионами Аr$^{+}$ дозой ${2\cdot 10^{15}\,\text{см}^{-2}}$, создаются сходные условия для формирования вторичных нарушений. После окончания процесса твердофазной эпитаксии электронно-дифракционные картины различны. В частности, на электронограммах в случае высокоинтенсивного ионного облучения не наблюдаются первичные двойники типа 1/3 \{511\} и 1/3 \{822\}, но появляются \{0002\}-рефлексы, гексагональной модификации кремния.