Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 1988, том 58, выпуск 9, страницы 1811–1813 (Mi jtf3050)  
Краткие сообщения

Электронная структура и диффузия примесей по дислокациям в полупроводниках

М. И. Молоцкий
PDF полного текста (424 kB)
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. И. Молоцкий, “Электронная структура и диффузия примесей по дислокациям в полупроводниках”, ЖТФ, 58:9 (1988), 1811–1813
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Mol88}
\by М.~И.~Молоцкий
\paper Электронная структура и~диффузия примесей по дислокациям
в~полупроводниках
\jour ЖТФ
\yr 1988
\vol 58
\issue 9
\pages 1811--1813
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf3050}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf3050
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v58/i9/p1811
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025