Основные закономерности распыления GaAs (001) ионами Ar$^{+}$ с энергией 1$-$9 кэВ

Проведены экспериментальные исследования особенностей распыления GaAs (001) ионами Ar$^{+}$ с энергией 1$-$9 кэВ. Показано, что коэффициент распыления возрастает с увеличением энергии от 1.5 до 5 атом/ион и его поведение не описывается теорией Зигмунда в указанном энергетическом диапазоне. Угловая зависимость скорости распыления имеет обычный для бесструктурных мишеней вид с максимумом в области ${\Theta\approx50^{\circ}}$, где скорость распыления в 1.5 раза выше, чем при нормальном падении ионов. Анализ приповерхностной области по спектрам каналирования ионов He$^{+}$, картинам каналирования электронов и с помощью оригинального неразрушающего метода профилирования состава по глубине, основанного на рентгенофотоэлектронной эмиссии, показывает, что в условиях глубокого ионного распыления происходит нарушение стехиометрии и структуры приповерхностной области, имеющее сложный пространственно-временно́й характер и связанное, по-видимому, с имплантацией атомов отдачи, радиационно-стимулированной диффузией и сегрегацией.