Об определении длины диффузии носителей заряда в материале абсорбера матричных HgCdTe-фотоприемников из профилей сканирования пятна засветки

Методом Монте-Карло изучено влияние латерального транспорта фотогенерированных носителей заряда от пятна засветки вдоль диодов на результат определения объемной длины диффузии носителей в материале абсорбера фотоприемных матриц способом сканирования светового пятна. Дана оценка соответствующей погрешности определения длины диффузии. Численное моделирование было проведено на примере фотоприемной матрицы с шагом 30 $\mu$m, размером диодов 14 $\times$ 14 $\mu$m и толщиной поглощающего слоя 6 $\mu$m. Диапазон рассмотренных значений объемной длины диффузии носителей в материале абсорбера составлял от 5 до 30 $\mu$m. Показано, что проведенный анализ позволяет описать детали профилей сканирования пятен засветки как при больших, так и малых диодных токах. Найдено, что используемый метод дает значения объемной длины диффузии, увеличенные по сравнению с истинными примерно на 20–25%.