Рекордно толстые эпитаксиальные слои $\kappa(\varepsilon)$-Ga$_2$O$_3$, выращенные на GaN/$c$-сапфире

Рекордно толстые (до 100 $\mu$m) слои перспективного полупроводникового кристалла оксида галлия, $\kappa(\varepsilon)$-Ga$_2$O$_3$-полиморфа, получены путем эпитаксиального роста на буферных слоях GaN на $c$-сапфире методом HVPE (Halide Vapor Phase Epitaxy). Спектры рентгеновской дифракции слоев показывают, что структура слоя – чистый $\kappa(\varepsilon)$-Ga$_2$O$_3$-полиморф, без примеси иных фаз. При этом отмечается организация доменной структуры, которая проявляется в виде псевдогексагональных областей с наследованием ориентации подслоя нитрида галлия. Были изготовлены диоды Шоттки с никелевым контактом и исследованы электрические и фотоэлектрические свойства слоев. Исследованы вольт-фарадные ($C$–$V$) и частотно-емкостные ($C$–$f$) зависимости, измерены спектры фототока и фотоемкости.