Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 2023, том 93, выпуск 7, страницы 897–906
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2023.07.55743.83-23 (Mi jtf7024) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)


Физическое материаловедение
Влияние гомобуферного слоя на морфологию, микроструктуру и твердость пленок Al/Si(111)

А. А. Ломовa, Д. М. Захаровa, М. А. Тарасовb, А. М. Чекушкинb, А. А. Татаринцевa, Д. А. Кисёлевc, Т. С. Ильинаc, А. Е. Селезневd

a Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН, 117218 Москва, Россия
b Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, 125009 Москва, Россия
c Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", 119049 Москва, Россия
d Московский государственный технологический университет "Станкин", 127055 Москва, Россия
PDF полного текста (494 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2023.07.55743.83-23
Аннотация: Представлены результаты комплементарных исследований пленок Al, выращенных методом магнетронного распыления при комнатной температуре. Пленки получены на стандартных подложках кремния Si(111) без и с предварительно выращенным на их поверхности при 400$^\circ$C алюминиевым (гомобуферного) слоем $\sim$20 nm. Взаимозависимость морфологии, микроструктуры и твердости пленок Al от состояния поверхности подложек изучена методами HRXRR, XRD, SEM, EDS, AFM, Nano Indenter (ASTM). Показано, что формирование на поверхности подложек гомобуферных слоев дает возможность управлять структурными и механическими свойствами тонких пленок алюминия.
Ключевые слова: алюминий, тонкие пленки, морфология, микроструктура, рентгеновская дифракция, РЭМ и АСМ микроскопия, наноиндентирование, магнетронное распыление.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации FFNN-2022-0019
075-15-2021-667
Российский научный фонд 23-79-00022
Работа выполнена в рамках Государственного задания ФТИАН им. К.А. Валиева РАН Минобрнауки РФ по теме № FFNN-2022-0019. Разработка и исследование образцов выполнена в ИРЭ РАН за счет гранта Российского научного фонда РНФ № 23-79-00022, https://rscf.ru/en/project/23-79-00022/. Изготовление экспериментальных образцов было выполнено за счет государственного задания ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН. При изготовлении образцов использовано оборудование Уникальной научной установки № 352529 “Криоинтеграл”, поддерживаемого грантом Министерства науки и высшего образования РФ по соглашению 075-15-2021-667.
Поступила в редакцию: 12.04.2023
Исправленный вариант: 12.04.2023
Принята в печать: 12.04.2023
Реферативные базы данных:
Образец цитирования: А. А. Ломов, Д. М. Захаров, М. А. Тарасов, А. М. Чекушкин, А. А. Татаринцев, Д. А. Кисёлев, Т. С. Ильина, А. Е. Селезнев, “Влияние гомобуферного слоя на морфологию, микроструктуру и твердость пленок Al/Si(111)”, ЖТФ, 93:7 (2023), 897–906
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LomZakTar23}
\by А.~А.~Ломов, Д.~М.~Захаров, М.~А.~Тарасов, А.~М.~Чекушкин, А.~А.~Татаринцев, Д.~А.~Кисёлев, Т.~С.~Ильина, А.~Е.~Селезнев
\paper Влияние гомобуферного слоя на морфологию, микроструктуру и твердость пленок Al/Si(111)
\jour ЖТФ
\yr 2023
\vol 93
\issue 7
\pages 897--906
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf7024}
\crossref{https://doi.org/10.21883/JTF.2023.07.55743.83-23}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=54384487}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf7024
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v93/i7/p897
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025