Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 2023, том 93, выпуск 8, страницы 1143–1151
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2023.08.55976.9-23 (Mi jtf7059) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Физическое материаловедение

Исследование свойств филаментов в структурах на основе HfO$_2$ при помощи атомно-силовой микроскопии с измерением проводимости

А. Г. Исаевab, О. О. Пермяковаab, А. Е. Рогожинa

a Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН, 117218 Москва, Россия
b Московский физико-технический институт (государственный университет), 141701 Долгопрудный, Московская обл., Россия
PDF полного текста (1787 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2023.08.55976.9-23
Аннотация: Представлены результаты исследования переключения в структурах Pt/HfO$_2$/HfO$_x$N$_y$/TiN, Pt/HfO$_2$/TaO$_x$N$_y$/TiN и Pt/Al$_2$O$_3$/HfO$_2$/TaO$_x$N$_y$/TiN, в которых оксидные слои наносились атомно-слоевым осаждением. С помощью атомно-силовой микроскопии с измерением проводимости продемонстрировано образование проводящих филаментов во всех трех структурах. Также продемонстрирован полный цикл резистивного переключения в данных структурах зондом микроскопа. Изучены свойства филаментов, сформированных при различных электрических напряжениях между зондом и нижним электродом, представлены распределения чисел филаментов по проводимости и размеру. Произведено сравнение характеристик исследуемых структур. Показано, что структура Pt/Al$_2$O$_3$/HfO$_2$/TaO$_x$N$_y$/TiN имеет наибольший потенциал использования в резистивной памяти с произвольным доступом.
Ключевые слова: мемристор, резистивное переключение, резистивная память с произвольным доступом, атомно-силовая микроскопия с измерением проводимости.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации FFNN-2022-0019
Работа выполнена в рамках Государственного задания ФТИАН им. К.А. Валиева РАН Минобрнауки РФ по теме № FFNN-2022-0019.
Поступила в редакцию: 18.01.2023
Исправленный вариант: 19.05.2023
Принята в печать: 16.06.2023
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Г. Исаев, О. О. Пермякова, А. Е. Рогожин, “Исследование свойств филаментов в структурах на основе HfO$_2$ при помощи атомно-силовой микроскопии с измерением проводимости”, ЖТФ, 93:8 (2023), 1143–1151
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{IsaPerRog23}
\by А.~Г.~Исаев, О.~О.~Пермякова, А.~Е.~Рогожин
\paper Исследование свойств филаментов в структурах на основе HfO$_2$ при помощи атомно-силовой микроскопии с измерением проводимости
\jour ЖТФ
\yr 2023
\vol 93
\issue 8
\pages 1143--1151
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf7059}
\crossref{https://doi.org/10.21883/JTF.2023.08.55976.9-23}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=54955551}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf7059
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v93/i8/p1143
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025