Ионно-лучевая модификация локальных люминесцентных свойств гексагонального нитрида бора

Гексагональный нитрид бора является перспективным материалом для современной оптоэлектроники, дефекты в котором могут служить однофотонными источниками света. Исследована модификация люминесцентных свойств нитрида бора посредством локального воздействия сфокусированным пучком ионов галлия и гелия. Показано, что интенсивность катодолюминесценции в области зона-зонного излучения монотонно уменьшается с увеличением дозы воздействия обоих типов ионов, а полоса люминесценции около 2 eV может разгораться после воздействия ионов гелия с определенными дозами. Эффект полного погасания люминесценции в результате приповерхностного воздействия ионами галлия использован для оценки величины длины диффузии неравновесных носителей заряда.