Методика получения атомарно гладких подложек из монокристаллического кремния методом механического притира

Cообщено о разработанной методике полировки подложек из монокристаллического кремния с использованием механического притира. Получена эффективная шероховатость подложки в диапазоне пространственных частот 0.025–65 $\mu$m$^{-1}$ на уровне 0.37 и 0.18 nm на размере кадра на поверхности 40 $\times$ 40 и 2 $\times$ 2 $\mu$m$^2$, соответственно. Полученный результат сопоставим с результатами химико-механической и динамической полировки пластин из монокристаллического кремния для микроэлектроники.