Моделирование распределения температуры в зоне сублимационного роста графена на SiC подложке

Представлены результаты моделирования распределения температуры в зоне роста графеновых слоев методом термического разложения поверхности подложек карбида кремния в установке с индукционным нагревом. Расчеты параметров нагрева элементов установки выполнены с использованием коммерческого пакета COMSOL Multiphysics с учетом электрофизических, тепловых и магнитных свойств материалов, из которых изготовлены элементы ростовой установки. Приведена численная оценка неоднородности нагрева пластин карбида кремния по их площади во время роста графеновых слоев при заданной температуре. Показано, что латеральное распределение температуры по площади пластины имеет радиальную симметрию с уменьшением значений в направлении центра.