Электрофизические свойства шунгитовых пород различного типа

Исследованы шунгитовые породы двух типов с разным химическим и минералогическим составом, исходные и модифицированные, в которых в процессе термообработки образовались наноразмерные полые углеродные структуры и волокнистые карбиды кремния, микроразмерные частицы силицида железа и микросферы стеклообразного материала. Изучены их электрическая проводимость при температурах от 77 до 300 K и эффективность экранирования на частотах от 100 kHz до 1 GHz. Для исходных и модифицированных образцов характерен полупроводниковый тип проводимости с различными энергиями активации (от 0.0007 до 0.0086 eV). Электропроводность и эффективность экранирования шунгитовых пород, модифицированных при термической обработке, могут как увеличиваться, так и уменьшаться в зависимости от их типа и состава.