Исследование механизма взаимодействия направленного потока отрицательных частиц газоразрядной плазмы с поверхностью расплава никеля

Установлено, что при облучении поверхности расплава никеля структуры никель–кремний отрицательными частицами и электронами газоразрядной плазмы с энергией до 6 keV в приповерхностной области жидкой фазы металла в направлении нормали к поверхности полупроводника возникает градиент пустот атомного размера, называемых “вакансиями”. Приведены аналитические и экспериментальные исследования механизма образования “вакансий” и механизма формирования ими направленного потока кремния в направлении поверхности расплава. Показано, что в процессе диффузии атомов полупроводника в расплаве происходит экстракция примесных атомов, служащих рекомбинационными центрами, что значительно повысило пробивное напряжение полупроводниковых диодов.